山东璨圆光电科技有限公司 main business:从事化合物半导体氮化镓光电材料发光二极管的外延片、芯片及相关新型电子元器件的研发、生产，并销售自产产品。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 注销
- 有限责任公司(台港澳法人独资)
- 2009-01-20
- 简奉任
- 2999
- 2009-01-20 至 永久
- 乳山市工商行政管理局
- 乳山市台湾工业园
- 从事化合物半导体氮化镓光电材料发光二极管的外延片、芯片及相关新型电子元器件的研发、生产，并销售自产产品。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN201466055U | 具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构 | 2010.05.12 | 本实用新型公开了一种具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构，其包括：一发光二极管晶片，其结构包含有： |
| 2 | CN201466056U | 高发光率的覆晶式发光二极管 | 2010.05.12 | 本实用新型公开了一种高发光率的覆晶式发光二极管，在P型半导体层上方设置一个透明导电层、一个氧化层、一 |
| 3 | CN101866993A | 氮化物发光元件 | 2010.10.20 | 本发明公开了一种氮化物发光元件，其提供具有光线撷取层的基板，将氮化物发光结构生长于此基板上，通过改变 |
| 4 | CN101859822A | 具有抗突波与静电的二极体结构及制程方法 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种具有抗突波与静电的二极体结构，其包含有一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一发光 |
| 5 | CN101859815A | 具有织状结构的垂直式发光二极管及其制造方法 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种具有织状结构的垂直式发光二极管及其制造方法。所述垂直式发光二极管包含有一第一电极、一 |
| 6 | CN101859982A | 具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构，该缓冲层结构包含由高温下成长的AlxInyGa1 |
| 7 | CN101858489A | 多功能可携式产品 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种多功能可携式产品，包括控制电路板、照明单元、紫外线监测单元、扬声器，其中照明单元、紫 |
| 8 | CN101859756A | 交流式覆晶发光二极管结构及其制造方法 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种交流式覆晶发光二极管结构及其制造方法，于一基板上嵌设复数个二极管，并于该二极管之上设 |
| 9 | CN101860998A | 交流发光装置 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种交流发光装置，其包含一个基板与多个发光单元，其中该多个发光单元设置于基板上，该多个发 |
| 10 | CN101859825A | 具有载子提供层的多层量子阱氮化物发光二极管 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种多层量子阱发光二极管结构，其在发光层的一侧设置有一载子提供层，以提供额外的载子给发光 |
| 11 | CN101859816A | 可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法，其一覆晶式发光二极管封装结构包含有一 |
| 12 | CN101859821A | 氮化镓发光二极管结构 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种具有高逆向反抗电压以及高抗静电能力的氮化镓发光二极管结构。本发明所提出的氮化镓发光二 |
| 13 | CN101859826A | 发光二极管晶片的固晶方法及其结构 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种发光二极管晶片的固晶方法及其结构，包括：将一发光二极管晶片的一侧设置一第一焊接层；将 |
| 14 | CN101859818A | 氮化镓二极管装置的缓冲层结构 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种氮化镓二极管装置的缓冲层结构，其先利用氮化硅SixNy(x，y≥0)低温成长第一缓冲 |
| 15 | CN101859824A | 双回路电极设计的发光二极管芯片 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种双回路电极的发光二极管芯片，包括基板、第一型掺杂半导体层、发光层、第二型掺杂半导体层 |
| 16 | CN101859819A | 发光半导体连接结构及其方法 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种发光半导体连接结构及其方法，其主要是通过一基板连接一发光半导体的结构，且该基板是一具 |
| 17 | CN101859823A | 表面黏着型发光二极管封装结构及制造方法 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种表面黏着型发光二极管封装结构，其包括导线架、发光二极管芯片、多个导体以及胶体，其中发 |
| 18 | CN101859788A | 发光二极管元件及其驱动方法 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种发光二极管元件及其驱动方法，该发光二极管元件包括基板、第一发光单元、第二发光单元、第 |
| 19 | CN101859817A | 氮化镓系发光二极管的制造方法 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种氮化镓系发光二极管的制造方法。首先，提供一成长基板；然后，在基板上形成一氮化镓系半导 |
| 20 | CN101859820A | 发光二极管结构 | 2010.10.13 | 本发明公开了一种发光二极管结构，其包括：基板、第一型掺杂半导体层、多个相互独立的发光层、第二型掺杂半 |
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